一种低腐蚀光刻胶剥离液及其制备方法与应用

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一种低腐蚀光刻胶剥离液及其制备方法与应用
申请号:CN202510840458
申请日期:2025-06-23
公开号:CN120559968A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种低腐蚀光刻胶剥离液及其制备方法与应用,所述低腐蚀光刻胶剥离液包括重量配比如下的各组分:有机碱1‑15份;胺类化合物2‑10份;有机溶剂70‑90份;腐蚀抑制剂0.1‑4份;所述腐蚀抑制剂包括多肽类化合物和多糖化合物。本发明还公开了低腐蚀光刻胶剥离液的制备方法及其在光刻胶剥离领域的应用。本发明光刻胶剥离液采用多肽类化合物和多糖化合物复合的腐蚀抑制剂,通过电荷作用形成稳定复合结构,使光刻胶剥离液在保持极为优异的清洗效果的同时,对芯片金属几乎无腐蚀。
技术关键词
光刻胶剥离液 腐蚀抑制剂 半导体芯片 多肽 乙烯基吡咯烷酮 丙二醇单甲醚 酰胺类化合物 硫酸软骨素 香菇多糖 蜂毒素 二甲基亚砜 混合液 复合结构 氢氧化物 环丁砜 无腐蚀