一种组合凸块结构、半导体封装结构及其制备方法
# 热门搜索 #
大模型
人工智能
openai
融资
chatGPT
验证码登录
×
发送
登录即代表您已同意AITNT
用户协议
和
隐私政策
登录
登录成功后会自动刷新界面
AITNT公众号
AITNT APP
AITNT交流群
搜索
未登录
首页
AI中心
退出
首页
AI资讯
AI技术研报
AI监管政策
AI产品测评
AI商业项目
AI产品热榜
AI 源力市场
寻求报道
一种组合凸块结构、半导体封装结构及其制备方法
申请号:
CN202510843496
申请日期:
2025-06-23
公开号:
CN120878650A
公开日期:
2025-10-31
类型:
发明专利
摘要
本申请涉及封装技术领域,尤其涉及一种组合凸块结构、半导体封装结构及其制备方法。一种组合凸块结构包括芯片结构本体和位于芯片结构本体第一表面的所述组合凸块焊盘表面的组合凸块,在物理空间上进行重构,将所述第一凸块、所述第二凸块集成到一个组合凸块中,减少有限空间中的信号凸点数量,将节省的空间留给电源和地,以此来改善信号和电源质量,同时缩小封装尺寸,提高产品的集成度。通过在所述第一凸块、所述第二凸块之间设置绝缘层,保证所述第一凸块和所述第二凸块之间的绝缘,提高连接可靠性。
技术关键词
半导体封装结构
芯片结构
凸块结构
凸块焊盘
凸块凹槽
焊盘表面
基板结构
布线
芯片堆叠结构
芯片封装结构
焊接工艺
柱状
信号
尺寸
介质
负极
导电柱