一种基于半导体缺陷与良率Map自动校准方法

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
一种基于半导体缺陷与良率Map自动校准方法
申请号:CN202510843878
申请日期:2025-06-23
公开号:CN120804537A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种基于半导体缺陷与良率Map自动校准方法,包括以下步骤:通过多模态传感器实时采集晶圆表面数据,解析站点工艺参数,生成时空对齐的晶圆全息数据集;基于晶圆全息数据集进行非线性形变补偿,生成动态Die网格;利用多任务深度强化学习模型预测缺陷Map与良率Map的初始Offset参数;通过量子退火算法对初始Offset参数进行全局优化,输出最优Offset。通过多模态传感器采集数据并利用卡尔曼滤波时空对齐,生成时空对齐的晶圆全息数据集,数据时空统一,准确完整反映晶圆状态,为缺陷分析与良率评估提供高质量数据基础。解决了多模态传感器数据时空不一致难以有效融合的问题。
技术关键词
自动校准方法 深度强化学习模型 量子退火算法 多模态传感器 半导体 晶圆 卡尔曼滤波 网格生成方法 多任务 3D点云数据 RFID读写器 构建知识图谱 站点 参数 非线性 布局模板 薄板样条