一种高压发光芯片及其制备方法
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一种高压发光芯片及其制备方法
申请号:
CN202510844882
申请日期:
2025-06-23
公开号:
CN120730899A
公开日期:
2025-09-30
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种高压发光芯片及其制备方法,高压发光芯片包括并排设置且依次串联连接的至少两个发光单元;其中,每相邻的两个发光单元之间设置有隔离槽,隔离槽用于隔离相邻的两个发光单元;不同的发光单元共用同一连续发光层,隔离槽位于连续发光层的至少一侧,且隔离槽的底面为连续发光层的表面。本发明提供的技术方案,提高了高压发光芯片的发光亮度,并降低了高压发光芯片从隔离槽处断裂的风险。
技术关键词
发光单元
电极连接结构
发光芯片
半导体层
绝缘支撑
半导体材料
发光层
高压
量子阱层
布拉格反射层
衬底
缓冲层
层叠
亮度
风险