三光同轴激光诱导晶圆裂片系统及量子化应力场调控方法
申请号:CN202510848776
申请日期:2025-06-24
公开号:CN120637324A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体超精密加工技术领域,且公开了一种三光同轴激光诱导晶圆裂片系统及量子化应力场调控方法,包括量子点动态标记系统、拓扑光子学激光改质模块、量子化应力调控算法、光子晶体波导激光加工、应力场量子调控验证。该三光同轴激光诱导晶圆裂片系统及量子化应力场调控方法,非厄米光子晶体波导技术通过拓拓扑光子学调控激光束相位,实现晶格改性的亚表面量子隧穿效应(穿透深度误差<50nm),三光同轴全息监测系统集成激光加工、量子点显微成像(分辨率0.5nm)与数字全息干涉计量,实现裂纹扩展动态追踪,量子点全息追踪技术采用CdSe/ZnS量子点标记裂纹尖端,结合数字全息干涉计量(分辨率0.3nm),实现裂纹三维形貌重建。
技术关键词
裂片系统
应力场
调控方法
激光
光子晶体
调控算法
数字全息干涉
晶圆
ZnS量子点
标记系统
InAs量子点
相位同步技术
数字全息系统
非线性相互作用
裂纹
波导
压电陶瓷阵列
改质