多指GGNMOS器件及制造方法、芯片

本发明提供一种多指GGNMOS器件及制造方法、芯片，属于半导体集成电路技术领域。所述多指GGNMOS器件包括：衬底、形成于衬底的体区和衬底接口、以及形成于体区表面的多个源区、多个漏区和多个栅极，源区、栅极以及衬底接口均接地，多个源区、多个漏区以及多个栅极分别构成多个GGNMOS结构，每两个相邻的源区与漏区之间设有深沟隔离区，靠近衬底中部的深沟隔离区的深度大于靠近衬底两端的深沟隔离区的深度。本发明在每个源区与每个漏区之间设计深沟隔离区，降低源端分压，抬高器件的开启电压，以此平衡中间与外围GGNMOS的开启电压，改善多指器件开启不均匀的问题，避免中间GGNMOS承受过大电流而烧毁。